En analysant une liaison à l'échelle atomique entre 2 métaux différents; tungstène et or, utilisé dans l'industrie pour réaliser la connectique de circuits intégrés, des chercheurs de l'Université McGill (Canada) et de General Motors, ont mesurés une résistance électrique 10 fois plus importante que prévue qui pourrait freiner la création de nano-circuits intégrés ou nécessiter de mieux choisir la nature des matériaux utilisés.

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La nature des interface entre métaux pourrait limiter la loi de Moore

Une résistance 10 fois plus importante que prévue
La conduction électrique à travers l'interface est très fortement réduite à cause d'une incompatibilité fondamentale entre le mode de conduction des électrons dans l'or (de type s-Wave) et celui dans le tungstène (de type d-Wave). Ces pertes de conductivité électrique pourraient limiter la création de nano circuits intégrés. La poursuite de la miniaturisation imposera sans doute une meilleure sélection des conducteurs utilisés.

Loi de Moore
Exprimé la première fois en 1965 puis réévaluée en 1975 par Gordon Moore, la fameuse loi prédit que le nombre de transistors des microprocesseurs sur une puce de silicium double tous les deux ans. Bien qu'il ne s'agisse pas que d'une extrapolation empirique, cette fameuse Loi de Moore s'est révélée étonnamment exacte. Ainsi, entre 1971 et 2001, la densité des transistors a doublé chaque 1,96 année. En conséquence, les machines électroniques sont devenues de moins en moins coûteuses et de plus en plus puissantes.

Source : www.pnas.org